核心理念

1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒

• HR模式下可實現(xiàn)高分辨觀察（半內(nèi)透鏡）
• FF模式下可實現(xiàn)高精度加工終點檢測（Timesharing Mode）

2. 高通量加工

• 可通過高電流密度FIB實現(xiàn)快速加工（ 大束流100nA）
• 用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟

3. Micro Sampling System*3

• 運用ACE技術(shù)（加工位置調(diào)整）抑制Curtaining效應(yīng)
• 控制離子束的入射角度，制備厚度均勻的薄膜樣品

4. 實現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam System*3

• 采用低加速（Ar/Xe）離子束，實現(xiàn)低損傷加工
• 去除鎵污染

5. 樣品倉與樣品臺適用于各種樣品分析

• 多接口樣品倉（大小接口）
• 超大防振樣品臺（150 mm□）

*3

選配

高性能SEM鏡筒

Ethos搭載的SEM配有兩種透鏡模式。HR模式可將樣品置于透鏡磁場之中，實現(xiàn)樣品的高分辨觀察。FF模式可在 短10nsec內(nèi)切換FIB照射與SEM觀察。用戶可在高速幀頻下觀察SEM圖像的同時，進(jìn)行FIB加工，因此，可輕松判斷截面的加工終點。NX5000采用電磁復(fù)合透鏡，即使在FF模式下也可保持高分辨觀察。

高分辨SEM觀察實例

Fin-FET 14 nm device

3D-NAND device

高性能FIB鏡筒

通過高電流密度FIB可實現(xiàn)快速加工、廣域加工、多處自動加工等

分時掃描模式

在FIB、Ar/Xe離子束照射時，可實時或分時觀察SEM圖像

■ 分時掃描模式可在 適當(dāng)?shù)奈恢猛Ｖ辜庸?br /> ■ Cut & See模式可實現(xiàn)高分辨SEM觀察
■ 實時加工模式是加工時間優(yōu)先的FIB加工模式

采用Cut & See模式可實現(xiàn)三維重構(gòu)

FOV：20 μm
Cut & See：200張
Slice pitch：20 nm
SEM加速電壓：1.5 kV

固體氧化物燃料電池的燃料極（Ni-YSZ）
樣品提供：東京大學(xué) 生產(chǎn)技術(shù)研究所
鹿園直毅 教授

抑制FIB加工損傷的高質(zhì)量TEM樣品制備

采用低加速氬離子束以及高電流密度FIB，可實現(xiàn)快速加工、廣域加工以及多處自動加工等

在2kV低加速電壓下進(jìn)行FIB加工時，觀察Ga+離子照射造成的樣品損傷（紅色箭頭）（圖a）
然后，在1kV低加速電壓下進(jìn)行氬離子研磨，消除FIB加工產(chǎn)生的損傷層后，可以清晰觀察到晶格像。

Triple Beam System（氬氣/氙氣）

在制備極薄樣品時，必須采用廣域且低損傷的加工方法。
Ethos采用樣品加工位置調(diào)整與低加速氬離子束精加工相結(jié)合的ACE技術(shù)，可制備出高質(zhì)量的TEM薄膜樣品。

ACE: Anti Curtaining Effect

GUI設(shè)計進(jìn)一步提升了視覺美觀和響應(yīng)速度

4種信號可供選擇

■ In-Column探測器（SED×1、BSE×2）與樣品倉SE探測器可同時采集信號
■ 搭載各SEM光學(xué)系統(tǒng)的Beam條件保存與讀取功能
■ 可根據(jù)不同觀察需求（形貌/成分），選擇 適合的探測器
■ 每種探測器均可實現(xiàn)對比度、亮度等個性設(shè)置、保存與輸出

建立多樣化的加工模式與定序

登錄和輸出各種加工模式/觀察條件

■ 拖拽即可簡單建立加工/觀察定序
■ 各加工模式與程序加工均可自由編輯與登錄
■ 可通過輸出當(dāng)前的程序加工，簡單完成加工設(shè)置
■ 可通過讀取當(dāng)前的定序，大大簡化重復(fù)操作
■ 可通過復(fù)制并編輯定序，進(jìn)一步提高擴展性與靈活性

通過運用各種加工模式，靈活設(shè)置加工范圍

■ 加工模式支持矩形、圓形、三角形、平行四邊形、傾斜加工、Bit-map加工等
■ 應(yīng)用加工支持橫截面加工以及TEM樣品制備
■ Vector Scan*3可根據(jù)向量信息顯示加工范圍，完成精準(zhǔn)定位。而且，圖像(bmp)轉(zhuǎn)換成向量后，也可繼續(xù)進(jìn)行樣品加工
■ 搭載各種離子束照射位置補償功能（漂移校正功能），可實現(xiàn)高精度加工

*3

選配

超大樣品倉支持各種用途

■ 配置支持高分辨觀察的防振樣品臺
■ 設(shè)置多種接口，可加裝更多的選配附件，實現(xiàn)多種樣品加工、觀察以及分析

• 項目		內(nèi)容
  FIB	二次電子像分辨率（C.P）	4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
  	加速電壓	0.5 kV – 30 kV
  	探針電流范圍	0.05 pA – 100 nA
  	離子源	GA液體金屬離子源
  SEM	二次電子像分辨率（C.P）	1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
  	加速電壓	0.1 kV – 30 kV
  	探針電流范圍	5 pA – 10 nA
  	電子槍	冷場場發(fā)射電子槍
  標(biāo)準(zhǔn)探測器		In-Column二次電子探測器 SE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（L） Chamber二次電子探測器 SE（L）
  驅(qū)動范圍 （5軸反饋控制）	X	155 mm
  	Y	155 mm
  	Z	16.5 mm
  	R	0 - 360° 旋轉(zhuǎn)
  	T	-10～59°
  樣品尺寸		大直徑 150 mm
  選配		Ar/Xe離子束系統(tǒng) Micro Sampling System 氣體注入系統(tǒng)（雙室或三室貯氣筒） 碳 鉑 鎢 電動搬運式樣品交換倉 連續(xù)自動加工軟件 連續(xù)A-TEM2 各種樣品桿 EDS（能譜儀） EBSD（電子背散射衍射）